Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -8V | -3.5A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -8V | -3.5A | Idm: -20A
EB Код: EB1394433454
Код товара производителя: SI2305CDS-T1-GE3
Код товара производителя:
SI2305CDS-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
0,27 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -8V |
| Drain current | -3.5A |
| Pulsed drain current | -20A |
| Power dissipation | 1.1W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 30nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |