Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
EB Код: EB1259317772
Код товара производителя: SI2319DS-T1-GE3
Код товара производителя:
SI2319DS-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
1,04 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -40V |
| Drain current | -3A |
| Pulsed drain current | -12A |
| Power dissipation | 1.25W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 17nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |