Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -89.6A | 42.1W
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -89.6A | 42.1W
EB Код: EB1864958207
Код товара производителя: SISS61DN-T1-GE3
Код товара производителя:
SISS61DN-T1-GE3
Производитель, бренд: VISHAY
Производитель, бренд:
VISHAY
1,34 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20V |
| Drain current | -89.6A |
| Pulsed drain current | -200A |
| Power dissipation | 42.1W |
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 9.8mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 231nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |