Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 3kV | 42A | 500W | TO268HV
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 3kV | 42A | 500W | TO268HV
EB Kods: EB1792361636
Ražotāja preces kods: IXBT42N300HV
Ražotāja preces kods:
IXBT42N300HV
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
69,69 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 3kV |
Collector current | 42A |
Power dissipation | 500W |
Case | TO268HV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 400A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 200nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 652ns |
Turn-off time | 950ns |
Features of semiconductor devices | high voltage |