Tulkot latviski

Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 2.5kV | 2A | 32W | TO268

EB Kods: EB2073487085

Ražotāja preces kods: 
IXBT2N250

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

25,50 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage2.5kV
Collector current2A
Power dissipation32W
CaseTO268
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current13A
MountingSMD
Gate charge10.6nC
Kind of packagetube
Turn-on time310ns
Turn-off time252ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage