Tulkot latviski

Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 24A | 250W | TO268

EB Kods: EB1750621218

Ražotāja preces kods: 
IXBT24N170

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

35,51 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current24A
Power dissipation250W
CaseTO268
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current230A
MountingSMD
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Turn-on time190ns
Turn-off time1285ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage