Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268HV
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268HV
EB Kods: EB1493240679
Ražotāja preces kods: IXBT16N170AHV
Ražotāja preces kods:
IXBT16N170AHV
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
19,00 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 150W |
| Case | TO268HV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 65nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 43ns |
| Turn-off time | 370ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |