Tulkot latviski

Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO263

EB Kods: EB1212672286

Ražotāja preces kods: 
IXBA16N170AHV

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

32,23 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 8 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current10A
Power dissipation150W
CaseTO263
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
MountingSMD
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Turn-on time43ns
Turn-off time370ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage