Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | RF | 20V | 1A | 3W | SOT89 | Pout: 630mW

EB Kods: EB1805733810

Ražotāja preces kods: 
2SK3475(TE12L,F)

Ražotājs, zīmols: 
TOSHIBA

2,92 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorRF
Drain-source voltage20V
Drain current1A
Power dissipation3W
CaseSOT89
Gate-source voltage±10V
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Frequency520MHz
Kind of channeldepleted
Output power630mW
Electrical mountingSMT
Open-loop gain14.9dB
Efficiency45%