Tulkot latviski

Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.2kV | Ic: 50A | SOT227B

EB Kods: EB1706231632

Ražotāja preces kods: 
IXGN50N120C3H1

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

46,73 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 6 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current50A
CaseSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current240A
Power dissipation460W
TechnologyGenX3™
TechnologyPT
Mechanical mountingscrew