Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -50A | Idm: -200A

EB Koodi: EB982311292

Valmistajan tuotekoodi: 
SISS27DN-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

1,14 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-50A
Pulsed drain current-200A
Power dissipation36W
CasePowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9mΩ
MountingSMD
Gate charge0.14µC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced